넥스페리아, 업계 선도적 성능의 고효율 GaN FET 출시

검증된 공정과 견고함 및 확장성 특징, 양산 애플리케이션에 바로 적용 가능

2019-11-20 09:25 출처: Nexperia

네이메헌, 네덜란드--(뉴스와이어) 2019년 11월 20일 -- 디스크리트와 MOSFET 소자, 아날로그 및 로직 IC 전문기업인 넥스페리아 (Nexperia)가 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 디바이스를 출시하고 GaN(gallium nitride) FET 시장에 본격 진출한다고 밝혔다.

신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다.

넥스페리아는 xEV, 데이터센터, 텔레콤 인프라, 산업 자동화, 고급 전원장치 등 고성능 애플리케이션 영역을 겨냥하고 있다. 넥스페리아의 GaN-on-silicon 공정은 품질과 신뢰성 면에서 검증된 강건하고 성숙한 기술이며 기존 실리콘 팹 설비로도 웨이퍼 처리가 가능할 정도로 확장성 역시 매우 뛰어나다. 뿐만 아니라 이 디바이스는 업계 표준 TO-247 패키지로 공급되기 때문에 사용자들은 익숙한 패키지에서 GaN의 탁월한 성능을 활용할 수 있다.

넥스페리아 MOS 사업그룹을 총괄하는 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs) 제너럴 매니저는 “이번 신제품 출시는 고전압 시장 영역에 진출하기 위한 전략적 접근으로서, 넥스페리아는 이제 xEV 전력 반도체 애플리케이션에 적합한 기술을 제공할 수 있게 되었다. 우리의 GaN 기술은 양산 체제에 바로 적용이 가능하며 대규모 애플리케이션을 충족할 수 있는 확장성도 갖추고 있다. 넥스페리아가 겨냥하고 있는 핵심 영역은 자동차 분야로서, 이 분야는 자가용이나 대중교통 수단으로 선호되던 기존 내연기관 자동차를 전기 자동차가 대체해 나가면서 향후 20년 동안 엄청난 성장이 예상된다”고 말했다.

GAN063-650WSA GaN FET는 넥스페리아가 자동차, 통신 인프라, 산업용 시장을 겨냥하여 개발한 첫 번째 GaN 디바이스 제품군이다. 새로운 GAN063-650WSA의 제품 사양 및 데이터시트 등 자세한 정보는 https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html 참조.

넥스페리아 개요

넥스페리아는 자동차 산업의 엄격한 기준을 충족하는 양산용 디스크리트, MOSFET 부품 및 로직 IC 전문 개발 기업이다. 넥스페리아는 효율성에 중점을 두고, 전 세계 모든 전자 설계에서 요구되는 주요 반도체들을 연간 약 900억개 생산하고 있다. 넥스페리아 제품들은 에너지 및 공간 절약이 가능한 업계 선도적인 소형 패키지로 제공되어 공정, 크기, 전력 및 성능 관련 효율성의 기준점이 되고 있다.

수십년간의 경험을 바탕으로 전 세계 굴지의 기업들에 제품을 공급하고 있는 넥스페리아는 각 지역별 고객 지원을 위해 아시아, 유럽, 미국 전역에 걸쳐 1만1000명이 넘는 직원들을 고용하고 있다. 넥스페리아는 광범위한 IP 포트폴리오를 보유하고 있으며 IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 및 OHSAS 18001 인증을 획득했다.

Nexperia: Efficiency wins.

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